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SI2307BDS-T1-GE3  与  BSS308PE H6327  区别

型号 SI2307BDS-T1-GE3 BSS308PE H6327
唯样编号 A36-SI2307BDS-T1-GE3 A-BSS308PE H6327
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 2A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 78 mOhms @ 3.2A,10V 80mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) 500mW
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2307BDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.5A(Ta) P-Channel 78 mOhms @ 3.2A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规

¥1.166 

阶梯数 价格
50: ¥1.166
200: ¥0.8976
1,500: ¥0.781
3,000: ¥0.726
9,000 对比
BSS308PE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS308PEH6327XTSA1_SOT-23 P-Channel 80mΩ@2A,10V 500mW -55°C~150°C ±20V 30V 2A 车规

暂无价格 3,000 对比
DMP3125L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 650mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.5A(Ta)

¥0.5918 

阶梯数 价格
90: ¥0.5918
200: ¥0.4823
490 对比
DMP3130L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A

暂无价格 0 对比
DMP3125L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 650mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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